第1591章 新材料合成法(3/4)

这个镉基的Cd（0001）衬底是一种严格的二维材料，表面没有悬挂键。也就是说，它不受晶格常数必须严格匹配的限制。”屏幕上，Cd（0001）晶面的原子排列清晰可见，表面光滑平整。栗亚波继续解释，“所以，可以像搭积木一样，把不同性质的材料堆垛上去，最终形成形成类似绳结的稳定结构，而每一层都仍然保持各自的性质。”常浩南此时正在检查工程文件里面的计算过程，但还是很快理解了对方的思路：“层内是强化学键保证材料本征性质，层间是较弱的范德华力保证堆垛的灵活性和可分离性……你后续还准备用机械剥离法或者液相剥离法来分离单层材料？”“没错！”栗亚波见老师完全理解，脸上露出笑容，“而且这种范德华力绳结的设计自由度非常高，理论上我们可以开发出无数种组合，应用在各式各样的二维材料上。”就在这时，实验室的门被推开。一名助理研究员将刚打印出来的测试报告递了上来。常浩南接过报告，栗亚波也凑到跟前。甚至都不用翻页。第一页上，就是报告的摘要：·目标材料镓锗合金（Ga-Ge（0001））成功在Cd（0001）衬底上形成。·薄膜呈现非平面二维形态。薄膜区域具有明显的1x1赝晶结构特征。·能谱分析显示强烈的金属性特征。同时检测到薄膜内部存在一定应力，建议后续通过退火工艺优化消除。×MTA-01设备在衬底表面检测到了含量约15%-25%的三维纳米团簇，所幸这些团簇分布不均，主要集中于特定区域，理论上可通过后期精细切割进行有效分离。“总体结果还算积极。”常浩南看着报告，难掩赞许，“首次尝试就能达到这个效果，已经非常惊喜了。”同时他也感觉到了几分欣慰——终于，自己的学生可以在学术界，而不是在教育界对自己造成威胁了。栗亚波却盯着报告中关于纳米团簇的数据，眉头微锁：“老师，我在模拟计算时，特意提高了反应腔的环境温度参数，就是想抑制这种三维岛状生长，理论上不应该有这么大的比例才对……”常浩南闻言，立刻坐回主控电脑前，调出栗亚波设定的工艺参数和底层算法模型。、他刚才正好看到了有关内能的部分：“亚波，你还是稍微被半导体那边的工艺给影响到了。”栗亚波露出不解的表情。“你参考的氮化硼工艺，衬底是热解石墨，所以高温环境才有助于提高表